三星将用台积电3纳米工艺生产英伟达定制HBM基底裸片
三星为英伟达生产定制高带宽内存的制造方案将发生变化。据IT之家10月18日援引《首尔经济日报》报道,三星电子决定接受英伟达的技术要求,采用台积电3纳米工艺制造下一代定制高带宽内存NVHBM的基底裸片,调整此前的一站式全包制造模式。 这项变化针对的是HBM中的基底裸片,而非整套存储产品。报道将HBM的核心裸片称为存储芯片,将基底裸片称为系统半导体。
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收录 3 篇关于“三星”的文章,最近更新于 2026-10-19。
三星为英伟达生产定制高带宽内存的制造方案将发生变化。据IT之家10月18日援引《首尔经济日报》报道,三星电子决定接受英伟达的技术要求,采用台积电3纳米工艺制造下一代定制高带宽内存NVHBM的基底裸片,调整此前的一站式全包制造模式。 这项变化针对的是HBM中的基底裸片,而非整套存储产品。报道将HBM的核心裸片称为存储芯片,将基底裸片称为系统半导体。
三星正考虑为Galaxy手机的OLED显示驱动芯片(DDI)引入第二家代工伙伴,格芯(GlobalFoundries)是主要评估对象。据IT之家10月16日援引韩国媒体ZDNet于10月15日的报道,此举旨在降低对单一供应商的依赖,目前尚未成为正式供应安排。 这次评估的背景,是Galaxy Z Fold8需求超出预期后出现的芯片供应瓶颈。
三星电子2026年第三季度营业利润仍被预期大幅高于去年同期,但盈利预期正在回落。据IT之家10月7日报道,路孚特(LSEG)的SmartEstimate指标显示,三星7月至9月营业利润预期为106.1万亿韩元,自8月末以来已下调7.7%。这一变化发生在存储芯片涨价势头放缓、韩元汇率走强的背景下。 这项预期综合了21位分析师的预测,并给予过往研判准确度更高的分析师更高权重。