三星为英伟达生产定制高带宽内存的制造方案将发生变化。据IT之家10月18日援引《首尔经济日报》报道，三星电子决定接受英伟达的技术要求，采用台积电3纳米工艺制造下一代定制高带宽内存NVHBM的基底裸片，调整此前的一站式全包制造模式。
这项变化针对的是HBM中的基底裸片，而非整套存储产品。报道将HBM的核心裸片称为存储芯片，将基底裸片称为系统半导体。此前，三星供应的所有HBM产品中，这两部分均由三星自主生产。
报道援引业内消息人士称，英伟达已向三星电子、SK海力士和美光三家NVHBM供应商提出统一要求：基底裸片使用台积电3纳米工艺，核心裸片采用代号1c的第六代DRAM工艺。NVHBM是英伟达于今年8月发布的定制高带宽内存，基于第七代HBM标准HBM4E架构开发。
据报道，英伟达提出上述要求，是因为各家供应商的制造方案不同，难以基于同一套设计实现稳定一致的性能；统一制造要求也能减轻针对不同供应商分别验证产品的工作量。三星负责晶圆代工业务的设备解决方案事业部经过内部评估，决定接受这一要求。
这一调整并不覆盖三星全部HBM业务。报道指出，标准HBM产品仍保留一站式全包生产策略：三星今年全球率先量产HBM4，HBM4E则正在进行量产验证。两款产品的基底裸片均采用三星自研4纳米代工工艺，核心裸片在三星华城、平泽厂区的1c产线生产。
面向AMD等其他客户的定制HBM，三星计划继续沿用一站式全包生产方案。对于NVHBM，三星也保留自有晶圆厂研发和生产的可能性。报道援引一位业内人士的话称，三星正在验证能否用自有产线制造NVHBM基底裸片，作为需求超出台积电产能上限时的预案。