HBM要增加容量，不一定只靠堆高。华尔街见闻刊载的海豚君分析指出，业内一条路径是提升单颗内存性能，另一条是采用不同规格、以更多颗产品匹配不同层级的需求。前者可能面临更复杂的工艺、更高的成本和更低的良率。
在堆叠路线中，HBM3E为12层，部分HBM4/4E将做到16层，HBM5路线图指向20层。但HBM与处理器共同封装，内存堆高度受到限制：文中列出的规范上限在HBM3E及之前为720微米，HBM4放宽至775微米。增加层数因此需要削薄单层DRAM颗粒，或缩小层间空隙；文中也提到以铜铜键合替代微凸点的做法。
层数并非只会增加。该文援引SemiAnalysis称，英伟达下一代Rubin Ultra的HBM可能从16层降至8层；这仍是可能性，并非已确定的产品规格。与此同时，文章提到以闪存颗粒为基础的HBF正试图承接一部分容量需求。
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