全球DRAM市场这一轮增长，主要靠价格上涨，而不是出货量大增。据IT之家11月5日转述Counterpoint Research《全球内存市场追踪》报告，2026年第三季度全球DRAM市场营收接近2000亿美元，同比增长369%。当季单位出货量环比仅增长约4%，每Gb平均售价达到1.9美元。
Counterpoint高级分析师Jeongku Choi将本轮行情称为“价格推动的超级周期”。他认为，AI已将内存从普通大宗商品转变为高价值稀缺资源，买家当前更关注争取供应，而非议价。他据此预测，在价格持续上涨的背景下，存储厂商下一季度将再创盈利纪录；这仍是分析师对后续行情的判断。
产品结构的变化尤其值得注意：HBM营收几乎翻倍，但在DRAM总营收中的占比反而下降，因为传统DRAM产品增长更快。报告称，DDR和LPDDR的平均售价均升至历史高位，相关产品营收同比分别增长500%和接近400%。
传统DRAM的需求增长也与AI基础设施变化有关。Counterpoint副总监Brady Wang表示，AI智能体推动了传统DRAM需求增长。该机构云端AI算力追踪数据显示，GPU与CPU的配比已从4:1缩小至2:1，并呈现进一步向1:1靠拢的趋势。以英伟达Vera Rubin机架为例，每颗CPU插槽搭载的DRAM容量增至1.5TB，接近上一代产品的3倍。
厂商方面，三星电子以38%的市场份额位居第一；SK海力士营收环比增长超过40%，缩小了与三星的差距，并追回今年早些时候丢失的部分份额。美光受AI数据中心内存需求拉动，表现同样强劲，但增速落后于三星和SK海力士。长鑫存储的市场份额则从二季度的10%降至三季度的9%。
下一代HBM产品的竞争仍在推进。Counterpoint研究总监MS Hwang表示，SK海力士此前在HBM3E市场占据优势，三星HBM4则获得客户积极反馈。他预计，三星有望在明年成为HBM市场份额最高的厂商。报告同时预计，随着竞争对手从四季度开始出货溢价更高的HBM4产品，长鑫存储的份额将继续承压。
对于后续需求，Brady Wang预计，服务器CPU用量增加将继续带动传统DRAM需求，并可能进一步推高明年的每Gb平均售价，给边缘设备市场带来成本压力。当前报告已经确认的是价格和营收的上升；这些变化能否延续，以及厂商份额如何调整，仍属于机构对后续市场的预测。