据IT之家10月24日报道，Dwarkesh Patel于当地时间10月22日公布了对英特尔首席技术官普什卡尔·拉纳德的采访。拉纳德表示，从制程技术看，英特尔与台积电的差距已缩小至几个百分点，但追赶台积电的制造规模仍将是一个缓慢过程。
这一判断针对的是制程技术，而非整体制造能力。拉纳德称，英特尔在技术水平上已经接近台积电，但性能、功耗和面积密度等指标仍可能存在几个百分点的差距；台积电目前的晶圆制造规模则明显大于英特尔。
在他看来，先进制程竞争不能只看单项基准测试。当技术落后一整代时，差距可能很明显；当技术水平接近时，按时推进工艺、提高良率和快速扩大产能就更为重要。即便性能或面积密度略有差距，只要工艺推进及时、良率较高，仍有机会取得进展。
扩产的限制还来自设备供应。拉纳德表示，即使英特尔希望大幅增加先进制程晶圆产量，全球半导体制造设备的供应能力也难以支持产能增长十倍，在现有条件下，产量翻倍更具可行性。他将EUV光刻设备列为主要瓶颈之一，同时指出其他制造设备也存在供应紧张。这是对扩产可行性的判断，并非宣布具体扩产计划。
同场访谈中，英特尔制造开发与客户合作部门副总裁兼总经理克里斯·奥斯介绍了另一项工艺安排：英特尔采用背面供电架构，将供电网络移至晶圆背面，减少晶圆正面的布线间距压力，因此能够在部分工艺层中直接使用高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV）设备。
IT之家在报道注释中解释，High-NA EUV将光学系统的数值孔径从传统EUV设备的0.33提升至0.55，按设备参数可实现约8nm的分辨率，有助于在单次曝光中制造更精细的图形，并减少部分工艺层所需的多重图形化步骤。访谈涉及的竞争重点，既有这些工艺选择，也包括能否稳定生产大量先进芯片。